Samsung v-nand: когда флеш-память нового поколения станет массовой?

Samsung v-nand: когда флеш-память нового поколения станет массовой?

Южнокорейский производитель продемонстрировал 24-слойные чипы 3D Vertical NAND ёмкостью 128 Гбит. Компания планирует освоить выпуск изделий терабитной ёмкости, но случится это не ранее 2017 года.

Компания Samsung поведала о достижениях в разработке флеш-памяти нового поколения 3D Vertical NAND (либо V-NAND), изюминкой которой есть трёхмерная структура.

Смотрите кроме этого: Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти

Хороший сутки, Хабр!Компания Samsung Electronics заявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в собственной объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.Это уже второе поколение флеш-памяти 3D V-NAND от Samsung. Серийный выпуск чипов первого поколения начался в августе прошлого года, и они складывались из 24-х слоев ячеек памяти.

Флеш-память 3D Vertical NAND (фото Samsung).

О носителях информации V-NAND мы в один раз уже говорили. Кратко напомним: новая разработка предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это дает возможность приобрести объёмную структуру микрочипа — соответственно, серьёзно расширить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных если сравнивать с простыми планарными изделиями улучшена в 2–10 раз за счёт применения методики 3D Charge Trap Flash (память с ловушкой заряда), которая существенно сокращает уровень электромагнитного шума в кристалле при передаче информации.

Характеристики чипов Samsung V-NAND (тут и ниже изображения Tech-On!).

На проходившей сравнительно не так давно конференции по твердотельным схемам ISSCC 2014 в Сан-Франциско (Калифорния, США) Samsung продемонстрировала чипы V-NAND ёмкостью 128 Гбит. В этих ответах употребляется 24 слоя ячеек памяти. Площадь чипа равна 133 мм?, а плотность хранения данных достигает 0,96 Гбит/мм?.

Сравнение планарной и трёхмерной флеш-памяти.

Но сказать о том, что память V-NAND в скором будущем станет массовой, рано. Дело в том, что цена производства аналогичных изделий до тех пор пока превосходит цену простых планарных флеш-микрочипов той же ёмкости. Связано это с изюминками техпроцесса, предусматривающего, например, использование «проприетарной технологии вертикальных связей».

Сравнение корпоративных SSD-накопителей на флеш-памяти различного типа.

Представленные 24-слойные чипы V-NAND — это, по сути, решения первого поколения в собственной категории. По заявлениям Samsung, их применение в твердотельных накопителях корпоративного класса обеспечит количество циклов перезаписи на уровне 35 тыс. и пропускную свойство в режиме записи до 36 Мб/с. При встраиваемых приложений число циклов перезаписи может быть около 3 000 при скорости записи до 50 Мб/с.

Этапы развития флеш-памяти.

В любом случае битва между планарной и трёхмерной флеш-памятью лишь начинается. В Samsung рассчитывают, что многослойные чипы V-NAND ёмкостью 1 Тбит покажутся не ранее 2017 года, быть может, и позднее. И лишь память V-NAND второго либо третьего поколения сможет соперничать с планарными изделиями по цене производства. Такие продукты, по всей видимости, покажутся через два–три года.

Подготовлено по данным Tech-On!.

Создатель: Владимир Парамонов

Интересно почитать:

отличие emmc от nand


Комментарии и пинги к записи запрещены.

Комментарии закрыты.